Supstrat silicijevog nitrida

Podloga za silicijev nitrid tvrtke UNIPRETEC izrađena je od Si3N4 keramike. Kako bi se smanjilo zagađenje okoliša i stvorilo zeleno gospodarstvo, učinkovita upotreba električne energije postaje sve važnija, što također iznosi veće zahtjeve za podloge za odvođenje topline u elektroničkim uređajima. Nedostaci tradicionalnih keramičkih podloga poput AlN, Al2O3 i BeO, od kojih su sve istaknutiji, poput niže teorijske toplinske vodljivosti i loših mehaničkih svojstava, ozbiljno su omeli njegov razvoj. U usporedbi s tradicionalnim keramičkim materijalima podloge, silicij nitridna keramika postupno je postala novi napredni izbor materijala za odvođenje topline za elektroničke uređaje zbog svoje izvrsne teorijske toplinske vodljivosti i dobrih mehaničkih svojstava.

Međutim, stvarna toplinska vodljivost Si3N4 ploče daleko je niža od teoretske toplinske vodljivosti, a neke visoko toplinski vodljive keramičke podloge od silicijevog nitrida (GG gt; 150 W / m · K) još su u laboratorijskoj fazi. Čimbenici koji utječu na toplinsku vodljivost keramike silicijevog nitrida uključuju rešetkasti kisik, kristalnu fazu i granice zrna. Uz to, transformacija kristalnog tipa i orijentacija kristalne osi također mogu utjecati na toplinsku vodljivost silicijevog nitrida u određenoj mjeri. Veliki problem je i kako postići masovnu proizvodnju keramičke podloge Si3N4.

Tehnički list

∆ Gore navedeni podaci nude se samo za referencu i usporedbu, točni podaci ovisit će o načinu proizvodnje i konfiguraciji dijelova.

Kako bi riješio ove probleme, UNIPRETEC se zalaže za kontinuiranu optimizaciju srodnih procesa pripreme, a stvarna toplinska vodljivost ploče silicijevog nitrida također se kontinuirano poboljšava. Kako bi se smanjio sadržaj kisika u rešetci, prvo smanjite sadržaj kisika u odabiru sirovina. S jedne strane, Si prah s relativno malim udjelom kisika može se koristiti kao početni materijal. Treće, odabir prikladnih pomagala za sinterovanje također može povećati toplinsku vodljivost smanjenjem sadržaja kisika. Uz to, dodavanjem sjemenskih kristala i povećanjem temperature sinterovanja radi pospješivanja transformacije kristalnog oblika, te primjenom magnetskog polja da zrna rastu usmjereno, toplinska vodljivost može se u određenoj mjeri poboljšati. Kako bi udovoljio zahtjevima veličine elektroničkih uređaja, UNIPRETEC koristi postupak lijevanja vrpcom za pripremu lima, oblatne, podloge od silicijevog nitrida.

Popularni tagovi: supstrat silicijevog nitrida, Kina, dobavljači, proizvođači, tvornica